少子寿命测定仪

少子寿命测定仪LT-1

高频光电导少数载流子寿命测试仪是参照半导体设备和材料国际组织SEMI标准（F28-75）及国家标准GB/T1553-1997设计制造。本设备采用高频光电导衰减测量方法，适用于硅、锗单晶的少数载流子寿命测量，硅单晶寿命测量ρ≥2Ω•cm，由于对样块体形无严格要求，因此广泛应用于工厂的常规测量。寿命测量可灵敏地反映单晶体重金属污染及缺陷存在的情况，是单晶质量的重要检测项目。

少子寿命测定仪LT-1技术参数

（1）寿命测试范围：5~10000μs；电阻率测量范围：ρ≥2Ω•cm

 测电子级参杂硅单晶片（厚度小于1mm），电阻率范围：ρ＞0.1Ω•cm（表面可能需要抛光处理）

 测量重复性误差≤±20%

（2）光脉冲发生装置

 重复频率＞20~30次/s，光脉冲关断时间：0.2~1μs，余辉＜1μs

 红外光源波长：1.06～1.09μm（测量硅单晶），红外光在硅单晶内穿透深度大于500μm如测量锗单晶寿命需另行配置适当波长的光源

 脉冲电源：5A～20A

（3）高频源

 高频振荡源：石英谐振器；频率：30MHz；低输出阻抗，输出功率＞1W

（4） 放大器和检波器

 放大倍数约25倍，频宽：2Hz～2MHz

（5）仪器配置的光源电极台既可测纵向放置的单晶，亦可测竖放单晶横载面的寿命

 可测单晶尺寸：

 断面竖测：直径25～150，厚度2mm～500mm

 纵向卧测：直径5mm～150mm，长度50mm～800mm